一、化浸金流行的原因

>　　各N精密元件Mb的多影孱，榱撕|的平坦、焊a性改善，焊c度c後m可靠度更有把握起，I界s在十N年前即於~面逐u裼没浸金(Electroless Nickel and Immersion Gold;EN/IG)之樱楦鞣NSMT焊|的可焊表面(Solderable Finishing)。此等量a板有：P型X之主C板c通卡板，行与手C板，人滴恢(PDA)板，滴幌C主板c卡板，cz影C等高y度板，以及XL用途的各N卡板(Card，是指小型路板而言)等。IPC的TMRC{查指出ENIG在1996年只占PCB表面淼2%，但到了2000年rs已成L到了14%了。以台沉慨a而言，1000l之化大槽中，挝徊僮髁浚Loading Factor）已_1.5ft2/gal（360cm2/L），工作忙碌r扇炀托枰Q槽。ENIG之所以在此等困y板大受上下游g迎的原因，^深入t解後有下面四c：

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D1.此Errison著名手CT-28之HDI六影澹1+4+1），3mil雷射盲孔5mil，其基l^共b了一wmini-BGA及4wCSP，其Via in Pad之|H12mil左右，是1999被Prismark推崇的明星CN。初上市r售r台扇f六，由於ち壹半磁波太，2001年已跌r到了999元，那橹K重MH是唏u慨@而已

>1.1 表面平坦好印好焊，小型承|IL}

>　　板面SMT的L方形、或A形、或方形之焊|越碓蕉唷⒃矫堋⒃叫r，熔aca|面之高低不平，造成a膏印刷不易c零件踩_困y，M而造成犸L或岬馊酆福Relow）品|的劣化。此c十N年前盛行的通孔波焊，或後|面虼r的a膏熔焊等皆大其趣。彼r之|面a恚o在焊a（Solderablity）或焊c度（Joint Strength）方面，均非其他可焊碇芡漤背。良好的ENIG平均可耐到3次的高睾附樱壳耙彩墙y或浸a硭o法相提K的

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D2.由於微小球|上ENIG之焊接不太可靠，加以黑|又常l生，逼得Mb者υ等yp的CSP微|只好改OSP皮膜，板r不嘞陆担龇ǚ吹垢y，如此HDI高科技有何s耀可言？甚至I者⒅某Super Solder 先上I料，更是大材小用其心良苦。

>然而如今手C板上所b的多wmini-BGA或CSP，其多微|之焊接，不但元件商cMb者心@跳，PCBI者更是草木皆兵 退 色(品|不佳退r)。目前手C板上一般行情的CSP(此晶片封b品S指|距Pitch在0.8mm以下之BGA)，其A型承|之PitchH30mil，而|更只有14mil而已；而且小型QFPL方焊|的|更已窄到了只有8mil，如此M小|面上所印的精密a膏，如何能容忍先前a的高低不平?

　　均蚱教沟目珊柑樱然不是只有ENIG而已，曾量a者尚有OSP有C保焊恚a恚Immersion Tin；最近已出F量a之＃嵝绾紊写^察），化浸Z金恚踔粱W浸a或化WaU等怼Ｆ渲谐OSP外，其他多半由於u程不或後患太多而o法成其夂颍丈袭然根本不是化浸金的κ帧ＧOSP的耐久性c抗污性又不如化浸金，而免洗a膏中活性甚弱的助焊欠裨诤盖八查g能及r除去OSP之老化皮膜，而能利沾a焊妥者亦大有}。

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>D3.左槿哪昵昂蘸沼忻X心KCPU，其FC式P-3封bd板腹底植焊接之基|情形。中檩^後版本的P-3d板腹面已完成植c18w解耦合容器SMT焊接之面。右楣δ芨面e更小的P-4，其尚未植c焊接容的腹面。注意，此等FCd板之覆晶正背面中央，小小立F之地竟然DM400-1000w的Ia凸K，做榇筇晶片的覆焊o作用。於是p面ENIG之皮膜，共正面印膏c熔成凸K，下游客舻母簿Ш附樱案姑婧附又册c容器的N焊等；至少三次以上的高乜简。任何毫厘疏失所造成的恐怖後果，^不是割地r款所能善T甘休的。然其ENIGt槽之揽峁芾恚仓挥羞@Nr5-9美元的量ad板才能玩得下去。此低r高A品的量a，早已不是B尊吃香喝辣的老外所能染指，吃苦耐诘奶橙耍耪r廉物美X普及的幕後功臣。

>除了上述的一般焊接外，ENIG之|面然也可做FC封b板的球_之植球基地，或a膏成半球後的凸K（Bump）承|。

>1.2 |面之接|ㄒ幌eo分

　　手C板除需零件焊接外，有些|面要绦修翩IǎS金不生n正是Contact Connection的最佳候x。手C板的此N摁I(Key Pad)做法，cLCD-TFT模M板上的ACF褐|等不管是直接丫衷谥靼迳希蚴橇O薄的p面硬板或板之搭配主板，其||表面一律都要金以降低其接|阻。如今高y度的HDI手C板在供^於求下，身r早已低落到了便宜的商品，等原先之正恚仓缓媒蹈橐淮渭的化浸金了。

D4.左槭昵I界所生aoNotebook用的LCD模Mp面板，水平面上下共b16wIC，垂直用5wIC 。全板ENIGc|H4mil，平行密集的跑_五、六百l之多。此N板wF已改成vM砷Ll形多影澹ㄈ缟嫌D），但仍 ENIG 做ACF褐ㄖつぁ
尤有甚者ENIG可成某些低r多影迳喜灏幼鞯慕鹗种赣猛荆m非合溃s也聊凫o。S多低成本DRAMML卡板上o斜之金手指，即裼么说 仿冒品式 的作法。ra的各N商品，一切只好。

D5.此楝F行衢TLCD-TFT背光@示模M中Ll多影宓囊恍《危TAB所bIC之外_，ACF或鹘y焊接法，c此板之密集承|完成互B，是目前I者的另一ENIG的主力a品。

D6.此殡X主C板上插接用的DRAM卡板。早期工序耠金，F已降格改榱r的ENIGu程，狗尾m貂情非得已

D7.此樾与HDI手C主板背面之Key Pad按I^，也有I者另Ｓ玫陌存I板或薄板做橹靼宓拇钆洌ENIG所o法被取代的必功能

1.3 K具可打能力而得以替代金

　　S多 晶片安b板 (Chip on Board; COB)之承|表面，需要^粗(5-20 m)的XM行打(Wire Bonding)工程，使晶片得可c路板直接互B，而令元件的封b成本得以免除。此N不太v究固著力的龊希浸金自然就取代了成本甚F的金了。早期某些r器，如子l，子lP等，即翊朔N“降格”做法。不^近年泶祟廉r商品的u造基地，早已D移到中箨去了，其F行的做法甚至BENIG在成本考量下也一闳∠鲐r只要用橡皮擦拭承|的~面，其打後的拉力甚至不d於化浸金。成本至上的原t下，此等更便宜的“o格”k法，然就把相形拙的“降格”政策取而代之了。

D8.左上殡金快速打金互B(Ball to Wedge)所用精密COB 之高A多影孱；下左榈碗ACOB之p面板，下右橹须ACOB的四影澹岫呔槁虼咒X（Wedge to Wedge）用的a品。由於完工M件r太低，故其承接皮膜也只好由金改ENIG了。甚至S多大的台商，BENIG也都再次省掉，而改成擦拭的裸~板出，S鼠狼下耗子成何wy？

1.4 高刂胁谎趸勺樯嶂砻

　　某些高功率的元件除其背面可加b散嶂片外，其腹底的板面^域亦可另O一些散嵊玫耐住４r其孔壁孔h即可施化浸金恚诿忪堆趸f助e岬纳⒁荩K可增加孔壁的C械度，有如T一般可使多影宓慕Y更化。S多P型X板上CPU的承受^，或BGA式元件的焊接基地，或其他小型卡板上即裼眠@N全面性的ENIG散峥住

D9.上三N六八影澹ENIG做楦吖β识嗄_元件腹底通孔之散嵊猛尽Ｓ伸舵金躲~孔的a，使得互B兼散峄蛑蛔錾嵴撸乳L期任战钥蛇_成。中D楫年TAB式Pentium-1之320_CPU，Super Solder法焊|的十影澹渲醒敕KENIG皮膜^，共有9.8mil的小孔256，花M然很F。榱私档统杀荆啻虻羲写懈某蛇龃方T（右D），不但便宜而且散徇更方便。奇怪，早嘛去了？