外

1 u程目的
　　孔及通孔後，韧右堰B通，本u程在u作外泳路，以_性的完整。

2 u作流程
　　~面怼耗ぁ毓狻@像。

2.1 ~面
　　Y料⒖4.友u作。

2.2 耗

2.2.1乾膜介B
　　乾膜(dry film)的造D8.1，1968年由杜邦公司_l出磉@N感光性聚合物的乾膜後，PCB的u作就M入另一o元，到1984年末杜邦的＠狡卺崛毡镜HITACHI也有自己的品牌世。後就m有其他S牌加入此一觥
　　依乾膜l展的v史可分下列三NType：
　　 －溶╋@像型
　　 －半水溶液@像型
　　 －|水溶液@像型
　　F在乎是後者的天下，所以本章H探此乾膜。
　　 A. 乾膜之M成
　　　　水溶性乾膜主要是由於其M成中含有C酸根，c|反钩橛C酸的}，可被水溶掉。其M成D8.1 水溶性乾膜最早由Dynachem 推出，以碳酸c@像，用稀溲趸c膜，然不喔倪M才有今日成熟而完整的a品。
　　 B. u程步E
　　　　乾膜作I的h境，需要在S色照明，通L良好，穸瓤刂频om室中操作，以p少污染增M阻┲焚|。其主要的步E如下：
　　　　　　耗ぉねＶ茅て毓猢ねＶ茅わ@像。

2.2.2 耗(Lamination)作I

　　A. 耗C 耗C可分手蛹白煞N，有收集聚烯隔拥暂，乾膜主，加彷，抽LO涞人闹饕糠荩M行Bm作I，其示意D8.2

　　　一般耗l件椋
　　　　耗彷囟取　　 120°±10℃
　　　　板面囟 　　　　　50±10℃
　　　　耗に俣 　　　　　1.5~2.5米／分
　　　　毫Α　　　　　　 15-40 psi
　　　a. 鹘y手耗C扇俗I，一人在C前送板，一人在C後收板K切嗲ぃ朔绞接迷悠贰⑿×慷嗔咸m合，θ肆Α⑽锪系暮挠美速MH多。
　　　b. 自耗C市面上HAKUTO，CEDAL，SCHMID等多NS牌，其C幼髟诎迩熬黏呵し绞郊耗め峋切膜幼鞫嘤胁煌汲a速加快，省乾膜以及黏N能力上在改M。
　　　 c. 戎年前_l自耗CH槌晒榷嗉掖S均有使用。
　　　 d. 乾膜在上述之囟认逻_到其玻璃BD化c而具有流有约疤畛湫裕芨采w~面。但囟炔豢商撸t鹎さ木酆隙斐娠@像的困y。耗 前板子若能A幔稍其附著力。
　　　 e. 檫_路高密度板之高品|，必h境及O渖现郑ぶ耗ば枰om
室中M行（10K 以上），h境囟刂圃
23°±3℃，相穸３50％RH±5％左右。
操作人T也要手套及抗o之om衣帽。

2.3 曝光 Exposure
2.3.1 曝光CN
　　－手优c自 　
　　－平行光c非平行光 　
　　－LDI雷射直接暴光
　　 A. 手悠毓C，是⒂匕遄由舷碌灼允佣PINξ会幔腿C台面， 吸真空後曝光。
　　 B. 自悠C一般含Loading/unloading，於板子外框先做好工具孔，做初步定位再由C台上之CCD，Check底片c孔的ξr，K做微{後入曝光^曝光。依目前的精密求程度，不以XC器自ξ唬峙伦霾坏胶闷焚|的板子。
　　 C. 如何量y及u估曝光C的平行度：
　　　　－定x：平行度(collimate)字面的意思就是使直向行M，而光的眼光而言t是光行M同r垂直於照射面。
D8.3是平行光c非平行光之比^。
　　　　－平行度的影：而研判平行直M的方法有值可供⒖迹叫醒蚪 (Collimate Half Angle)及偏斜(Declination Angle)。此二值可大略判 曝光C的平行度及曝光可能造成的认蚱疲惨虼巳羰褂梅瞧叫衅毓C 曝光其影像衅霞暗撞认蝻@像的}。
　　　　－量y方法及工具：
　　　　　一般量y平行度的方法是用一N叫平行度像C(Collimation Camera) 其量y方式是以此工具置於感光或感光物上曝光，之後再量偏移度，其示意D如下（D8.4(a，b)）：

　　D. 非平行光c平行光的差，平行光可降低Under-Cut。其差c，可D8.5，@影後的比^。做路(4mil以下)非得用平行光之曝光C。
　　E. 另有一NLDI(Laser Direct Imaging)D射直接感光之O渑c感光方式。是利用 特殊之感光膜coating在板面，不底片直接利用D射呙杵毓狻Ｆ浼可做到2mil以龋枚beam方式18in×24in的板子，已有Q曝光rgH30秒。




2.3.2 作I注意事

　　A. 偶氮棕片的使用
　　　手悠毓庖蜓鲑人目ξ唬虼俗仄怯斜匾模悠毓C由C器ξ凰砸话愫诎椎灼纯伞Ｗ仄勖^短。
　　B. 能量的O定
　　　 曝光C中有光能量之累e算器，光能量子 (以焦耳或毫焦耳挝唬┦侵腹度（瓦特或毫瓦特）crg的乘e，即
　　　　　 mili - Joule = mili Watt w Sec. 焦耳＝瓦特w秒
　　　 曝光C上有可以{拥墓饽芰底宙I，K有y光度之b置，O定某一光能量底轴峒纯勺龆芰恐毓猓慨光源紫外衾匣度衰pr，O定系y即友娱Lrg以_到所需的光能量。定期以"hotometer" 或"Radiometer"做校正工作。
　　C. Stouffer 21 Step Tablet
　　　 Stouffer 21 step tablet是IN-processOy曝光@像後的l件是否正常，D8.6。它是放於板c正常板一悠毓猓Ｖ眉帮@像後，其21格上之乾膜留有色u淡，至完全露~的化，最重要其已@像及仍存板面之交界是落於第格。一般适8~10格，Follow各S牌所o的Data Sheet。
　　D. 吸真空的重要
　　　 非平行光的作I中，吸真空的程度是影曝光品|的重大因素。因底片c膜面有g隙U大under-cut。一般判噘No程度是光罩上之Mylar面出F的 牛Dh(Newton Ring)的r，以手碰|移樱襞ｎDhK不樱t表吸真空良好。手幼I，r常作IT尚要以"刮刀"o助刮除空猓诵幼魇上O易影ξ患暗灼勖Ｆ叫泄庠t此}可降至最低。
　　E. ξ
　　　 蹲悠毓C碚f，偏位不是不}，只要u估好O涞难u程能力以及So工作底片的蚀_度即可，但手悠毓C作I影识鹊淖稻秃芏啵
　　　　 <1> PIN孔大小的x
　　　　 <2> 上u程通孔的厚度分析
　　　　 <3> 孔位蚀_度
　　　　 <4> 底片套板的方式
　　　　 <5> 人目`差
　　　 上述He常因素，各S彤a品哟硖嵘ぷI的u程能力。
　　F. o置
　　　曝光後板子隔板置放10~15分吸收UV能量後的resist Film聚合更完全。
　　G.高度的UV光路而言是十分重要的，因樗械墓庾瓒己姓诒 (Inhibitor)，而此遮蔽┯UV光r得却罅肯摹Ｒ虼巳绻萌豕馄 光，t用^Lrg磉_到必的能量，如此有^多的rg未光^的遮蔽U散至曝光^，如此只要有一c折光或散射就纬删酆希a生z@影不等}。因此使用光曝光C有助於的u作，有zK不是代表只是@影不或水洗不良的}。
　　　 一般而言5mW/cm2能量密度σ话愕木路已有不e的效果，如果要有更佳的解析度t高一些的光度有助於改善之。
　　H. 影解析度的因子互雨PS有：(I)曝光rgL短(2)未曝光^遮蔽┑牧 (3)散射折射光的多少。其中第二是碜怨痰恼{配^o法{整，第(1)可考]控制光度砀纳破淦焚|，第(3)t使用平行曝光C及加曝光前真空作I助。

2.4. @像Developing
2.4.1槽液成份及作Il件

　　溶液配方　　　１－２％之碳酸c（重量比）
　　囟取　　　　30 +_2 ℃
　　 15－20 PSI
　　水洗 27°－29℃，水40 PSI
　　pH 10.5 －10.7，
　　Break point 50~70% Auto dosing

2.4.2作I注意事

　　A. @像是把尚未l生聚合反^域用@像液⒅_洗掉，已感光部份t因已l生聚合反床坏羧粤粼阢~面上成槲g刻或之阻┠ぁＷ⒁庠陲@像前不可忘把表面玻璃撕掉。
　　B. @像cBreak point ( O渫该魍庹挚吹揭呀完全@F出D拥脑c的距 xQ之)潇50~70%g，不及，~面有scun留，太^，t有膜屑或 undercut^大。最好有自犹砑酉到y(auto-dosing).另外⑾到yO良否也绊@像c.
　　 C. @像良好的缺橹北谑秸撸@像不足r容易l生膜渣(Scum) 造成g刻板的短路、~碎、及X突出之，@像C液系y之^V不良r也 造成此N缺c。z查Scum的方法可用５％之氯化~溶液(Cupric Chloride CuCl 2) 或氯化@溶液浸泡，若~面上仍有r亮的~色r，即可判嘤 Scum留。
　　 D. @像完成板子切不可B放，用Rack插立。

3 乾膜h境的要求

　　路板之及高密度要求u溃涑晒Φ钠C端各N精密的控制。乾膜D移影像之精食松鲜龈鞣N生a技g外，h境的完善也占有很大的比重。
　　A. 首先要注意到的是om室(Clean Room) 的建立，一般常f的om室是以 美邦Fed. STD 209 做榉旨的，是以每立方盏目庵兴箪0.5微米的m粒之的(PPCF) 作榉旨的，可分槿，表8.2
　　　三者g之Soc安bM用相差O大，class 100 多用在ew路程(IC) 之晶Au造上。

至於精密路板之乾膜耗ぜ捌毓^t10，000已颉
　　 B. om室品|之控制有三要件，防止外界m埃之M入、避免炔慨a生、及清 除炔考扔兄m量；需在h境系y上加bM庵^VO洹⒐ぷ魅T穿戴不易起m之工作服、鞋、手套、^罩。室妊b配t癖砻嫫交板、op地板、饷苁街彰骷肮苍O施、M出口之Air Shower，室人惋Lt袼恿(Laminar Flow)及垂直恿鞣绞揭韵饬鞯乃澜牵苊m埃的 聚e。
　　 C. 乾膜^之照明辄S色光源以避免乾膜於正式曝光前先感光，此NS光波L必在500 n m(naro-meter10 m，或5000A)，比500nm短的光源中含有紫外而е虑ぶ植扛泄猓忻嫔嫌薪瘘S色日光艄艹鍪郏谝话闳展敉饧友b橘S色粽忠部墒褂谩

4 高密度路技桁

　　路板的密度以往主要受限於孔的尺寸，因此似乎路密度成L的迫切性也就]有那N高。路由於孔技g的M步及MCM-L技g的需求，近涫苤匾。而用鹘y的Tenting & Etching技g，想作到小於1OOμm的路走十分困y的。Additive process能降低甚至避免g刻的}，只是必使用特定的物料c流程，因此在子封bI域^少被用。
　　 A. Additive Process其~路是用光阻定x出路^，以方式填入~磉_形成路。此u程分Semi AdditivecFully Additive深，Semi Additive 利用汉媳°~於各渲希僖噪及g刻_到形成路的目的。Fully Additivet是利用渲砻娲只溽T布加黏合右愿纳o~c板面BY度，之後以o解~L出路。

　　 B. o解~在Additiveu程方面是O橹匾挠绕涫歉咂焚|高x裥缘o解~，是高密度高信度板使用u程的必要l件。然而一般o解~析出速率s2~2.5μm/Hr其析rg相煽s短2~4分之一。
　　 C. o解~而言，抗光阻的x是最揽恋}，由於光阻僮髟70℃的|性化W~液中，介面g的肮庾枧蝮是被Jx的主要恿Α；W~反 a生的猓械谋⊙趸~表右蜻原反ユIY力，都是x的可能原因。
　　 D. ^有效的防止x方式可以考]Ρ砻媸┮圆煌慕偬怼５足~的化W位相-600mV，氧化~相涞倪原位-355mV，由於原位高於化反虼诉原反O易a生x。若要保持良好的IY力就必找一更低位的金俑察镀渖弦苑乐狗Zn/Sn/Ni都是有C慕伲凿而言C明m的覆w厚度可得到承受浸泡化W~40Hr仍不x的Y合效果，其厚 度s0.5±0.1mg/cm2，金也是可x窦Y合力的金佟
　　 E. 鹘y的光阻是以溶┬橹鳎颦h保}而使I界ε浞接兴{整，加入H水性物|，光阻可使用水溶液@影。但一般水溶性光阻由於是|性@影系y，用化W~抗⒁蛴H水分子^多而a生膨}。因此有新系yl展出恚H水分子{整至最佳r後以低|性}及高]lc溶┙M合成@影液，@影液之最大成份仍樗绱瞬腥奈ｋU。而此光阻┛沙惺芗s40小r化W~浸泡不致有}，只是光阻y免有溶出物绊液析出速度及出品|，因此其配方是必考]以p少影槟恕Ｒ话阖型光阻其本身展庠茨芰浚虼烁纳乒庾柰腹庑砸垣@得良好P直的壁面，是光阻改善的方向。有部份光阻已可作到光阻厚度76μm厚度以下，30μmg距的解析度。
　　 F. ^程中如何防止s|w粒的a生，路而言⑹且淮笳n}。Semi additiveu程而言，若先使用高劐~(化W或)，再以^冷的a槽 保o樱伸豆庾崦冷s而在~路c光阻端a生s1μm的空隙，因此ar也蟛糠荼诲a上，因此可加保o效果@得更好的路。
　　 G. 薄膜技g也可用於u程，一薄Cr-Cu底咏僖R於底材上，以22 μm厚的光阻作I，以Semi additiveu程化W~浸s4Hr，去除光阻後由於底 颖∧ず鼙。虼擞Ion milling即可，不必作a保o。
　　 H. Fully additive是另一N方式，其作I是以UV型乾膜式增黏(Adhesive)焊 於渲妫UV聚合後孔粗化再以活化(|媒)覆於表面，其後以光阻定x出 溴^，槭构庾枘芸果|可用UV光⒐庾韫袒僖曰~填入溴^，其後光 阻本身也保留成板面的一部份。|媒一般多用aZzw，若附以m厚度既可⑹蓟~反r能保有一定^阻。